报告主题

高性能二维硒化铟场效应晶体管构筑中的界面工程

报告日期和时间

2019年3月15日

上午9:30-10:30

报告地点

理化实验楼806

报告人姓名

冯伟

人才层次

优秀青年学者

所在单位

理学院

报告人简介

冯伟，男，副教授，硕士研究生导师，于2017年7月在哈尔滨工业大学获得材料物理与化学工学博士学位。主要研究方向包括纳米半导体材料与器件、光电材料与器件、柔性电子器件及能源材料与器件等领域的研究。至今在国际著名期刊Advanced Materials, Nano Letters, Advanced Functional Materials等发表SCI论文30余篇，引用次数达1300余次，H因子值为17。主持国家自然科学基金青年基金1项、中国博士后科学基金（一等）1项、黑龙江省博士后特别资助基金1项、中央高校项目基金1项、大发体育平台-（中国）科技公司,“优秀青年学者”引进人才启动基金1项。

报告内容简介

二维半导体材料具有优越的电学、光学和磁学等性能。目前二维半导体材料研究集中于过度金属硫化物和黑磷等。然而过度金属硫化物电子迁移率低、黑磷极其不稳定限制了二者的实际应用前景。二维硒化铟作为一种稳定的、高电子迁移率的新兴材料得到了广泛关注。二维半导体材料电子器件的性能受电极与半导体接触界面和介电层与半导体接触界面的影响较大。本报告就高性能二维硒化铟场效应晶体管构筑中的界面工程做简要介绍。欢迎广大师生参加。

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